臺積電此前曾在法說會上提到，2nm制程技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利，設(shè)備效能和良率皆按照計(jì)劃甚或優(yōu)于預(yù)期。2nm將如期在2025年進(jìn)入量產(chǎn)，其量產(chǎn)曲線預(yù)計(jì)與3nm相似。
據(jù)介紹，N2制程在相同電壓下可以將功耗降低 24% 至 35%，或?qū)⑿阅芴岣?5%，晶體管密度比上一代 3nm 工藝高 1.15 倍。而這些指標(biāo)的提升主要得益于臺積電的新型全環(huán)繞柵極(GAA)納米片晶體管，以及 N2 NanoFlex 設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化和其他一些增強(qiáng)功能實(shí)現(xiàn)的。
臺積電還將推出N2P制程技術(shù)，作為2nm家族延伸，將為智能手機(jī)和高速運(yùn)算(HPC)應(yīng)用提供支持，預(yù)計(jì)2026下半年量產(chǎn)。
臺積電目前2nm生產(chǎn)基地已規(guī)劃于竹科寶山與高雄廠區(qū)。臺積電董事長魏哲家日前在法說會上說，高速運(yùn)算(HPC)加速往小芯片(Chiplet)設(shè)計(jì)，但不會影響對2納米采用狀況，而且詢問的客戶愈來愈多，目前客戶對2nm需求比3nm還高，預(yù)計(jì)產(chǎn)能也將會更高。
臺積電持續(xù)推進(jìn)2nm于2025年量產(chǎn)的目標(biāo)。據(jù)了解，臺積電2nm寶山第一廠已在2024年4月設(shè)備進(jìn)機(jī)，2024年6月使用英偉達(dá)cuLitho平臺結(jié)合AI加速風(fēng)險試產(chǎn)流程，后續(xù)寶山第二廠也維持進(jìn)度; 高雄廠規(guī)劃2nm擴(kuò)充，原先預(yù)定相關(guān)設(shè)備最快2025年第3季進(jìn)機(jī)，實(shí)際已提前于今年11月陸續(xù)進(jìn)機(jī)，較原先計(jì)劃超前約半年以上。
